Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 300mW в корпусе TO-18

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • 2N2608
    IC JUNCTION FET P-CH TO-18
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100