Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 350mW в корпусе SOT-23-3 (TO-236)
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Тип канала: N-Channel
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 1µA
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100