Полупроводники, Транзисторы, JFET IDSS(MAX) 10 mA в корпусе SMCP

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • 2SK3796-3-TL-E
    JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3666-4-TB-E
    JFET N-CH 30V 0.2W CP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3796-2-TL-E
    JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3666-3-TB-E
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3796-4-TL-E
    JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100