Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 200mW в корпусе Mini3-G1

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • 2SK275100L
    JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.4µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3.5V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100