Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 300mW в корпусе 4-SMD

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • JANTX2N4416AUB
    JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100