• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 3 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 100 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 80 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 12 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 8 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 3 Ohms