• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: SST309
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Сопротивление канала (On): 35 Ohms

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA
• Сопротивление канала (On): 5 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: J309
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 35 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 300 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 80 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
• Ток стока макс (Id): 30 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
• Сопротивление канала (On): 125 Ohms

• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: SST112
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA