• Производитель: Vishay Siliconix
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: SST175
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Сопротивление канала (On): 125 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 60 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: J202
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 75 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 135°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: P-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 8V @ 10µA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
• Серия: SST310
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Сопротивление канала (On): 35 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA
• Сопротивление канала (On): 50 Ohms

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA