Найдено: 74
  • JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AA (TO-18)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 250 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50MA 300MW SPA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFETS
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ULTRA LOW NOISE, LOW DRIFT, SING
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: LSK189
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 60 V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 5-MCPH
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/375
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50MA 300MW SPA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SSIP
    • Тип корпуса: NS-A1
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 20 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA
    • Сопротивление канала (On): 300 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AC (TO-52)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 3nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: