• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 14
  • 2SK208-O(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V SC59
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK2145-GR(TE85L,F
    MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK208-R(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V S-MINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK879-GR(TE85L,F)
    JFET N-CH 0.1W USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: USM
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK880GRTE85LF
    JFET N-CH 50V 0.1W USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK880-BL(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V 0.1W USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3320-BL(TE85L,F
    JFET DUAL N-CH USV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    • Тип корпуса: USV
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3320-Y(TE85L,F)
    JFET DUAL N-CH USV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    • Тип корпуса: USV
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK208-Y(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V S-MINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK2145-BL(TE85L,F
    JFET N-CH 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK880-Y(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V 0.1W USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: USM
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK2145-Y(TE85L,F)
    MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK208-GR(TE85L,F)
    JFET N-CH 50V SC59
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 6.5 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK879-Y(TE85L,F)
    JFET N-CH 0.1W USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: USM
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100