- Производитель
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Мощность - Макс.
- Ток стока макс (Id)
- Тип корпуса
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Мощность - Макс.
|
Ток стока макс (Id)
|
Вид монтажа
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
Сопротивление канала (On)
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
J2A080GX0/T0BG295, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
J111,126 | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 | NXP USA Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 40V | 400mW | Through Hole | 150°C (TJ) | TO-92-3 | N-Channel | 40V | 6pF @ 10V (VGS) | 20mA @ 15V | 10V @ 1µA | 30 Ohms | |
J3A012YXS/T0BY4551 | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
J3A040YXS/T0BY4571 | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
BSR57,215 | JFET N-CH 40V 250MW SOT23 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 40V | 250mW | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-23 (TO-236AB) | N-Channel | 40V | 20mA @ 15V | 5V @ 0.5nA | 40 Ohms | ||
J2A020YXS/T0BY425, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
J2A012YXS/T1AY403, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
J1A012YXS/T1AY404, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
J177,126 | JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 | NXP USA Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 30V | 400mW | Through Hole | 150°C (TJ) | TO-92-3 | P-Channel | 30V | 8pF @ 10V (VGS) | 1.5mA @ 15V | 800mV @ 10nA | 300 Ohms | |
PMBFJ308,215 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 25V | 250mW | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-23 (TO-236AB) | N-Channel | 25V | 5pF @ 10V | 12mA @ 10V | 1V @ 1µA | 50 Ohms | |
J113,126 | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 | NXP USA Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 40V | 400mW | Through Hole | 150°C (TJ) | TO-92-3 | N-Channel | 40V | 6pF @ 10V (VGS) | 2mA @ 15V | 500mV @ 1µA | 100 Ohms | |
PMBFJ176,215 | JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V | 300mW | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-23 (TO-236AB) | P-Channel | 30V | 8pF @ 10V (VGS) | 2mA @ 15V | 1V @ 10nA | 250 Ohms | |
BSR56,215 | JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 40V | 250mW | 20 mA | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-23 (TO-236AB) | N-Channel | 40V | 50mA @ 15V | 4V @ 0.5nA | 25 Ohms | |
J2A040YXS/T0BY424, | TRANSISTOR JFET 8PLLCC | NXP USA Inc. | |||||||||||||
BFR30,215 | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | 10 mA | Surface Mount | 150°C (TJ) | SOT-23 (TO-236AB) | N-Channel | 25V | 4pF @ 10V | 4mA @ 10V | 5V @ 0.5nA |
- 10
- 15
- 50
- 100