- Ток стока макс (Id)
- Производитель
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Мощность - Макс.
|
Ток стока макс (Id)
|
Вид монтажа
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Тип канала
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK208-O(TE85L,F) | JFET N-CH 50V SC59 | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | 100mW | 6.5 mA | Surface Mount | 125°C (TJ) | SC-59 | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 600µA @ 10V | 400mV @ 100nA |
2SK208-R(TE85L,F) | JFET N-CH 50V S-MINI | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | 100mW | 6.5 mA | Surface Mount | 125°C (TJ) | S-Mini | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 300µA @ 10V | 400mV @ 100nA |
2SK208-Y(TE85L,F) | JFET N-CH 50V S-MINI | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | 100mW | 6.5 mA | Surface Mount | 125°C (TJ) | S-Mini | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 1.2mA @ 10V | 400mV @ 100nA |
2SK208-GR(TE85L,F) | JFET N-CH 50V SC59 | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 50V | 100mW | 6.5 mA | Surface Mount | 125°C (TJ) | SC-59 | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 2.6mA @ 10V | 400mV @ 100nA |
- 10
- 15
- 50
- 100