• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
ISL9V3036P3 N-CHANNEL IGBT Fairchild Semiconductor TO-220-3 21A 360V 150W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-220-3 Logic 1.6V @ 4V, 6A 300V, 1kOhm, 5V 17nC -/4.8µs EcoSPARK®
IRGR2B60KDPBF IGBT 600V 6.3A 35W DPAK Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6.3A 600V 35W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D-Pak Standard NPT 2.25V @ 15V, 2A 400V, 2A, 100Ohm, 15V 8A 68ns 74µJ (on), 39µJ (off) 12nC 11ns/150ns
IRG4RC10SD IGBT 600V 14A 38W DPAK Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 14A 600V 38W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D-Pak Standard 1.8V @ 15V, 8A 480V, 8A, 100Ohm, 15V 18A 28ns 310µJ (on), 3.28mJ (off) 15nC 76ns/815ns
IKA15N65H5XKSA1 IGBT 650V 14A TO220-3 Infineon Technologies TO-220-3 Full Pack 14A 650V 33.3W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO220-3-111 Standard 2.1V @ 15V, 15A 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V 45A 48ns 120µJ (on), 50µJ (off) 38nC 17ns/160ns TrenchStop™
IRG4BC20SD-SPBF IGBT 600V 19A 60W D2PAK Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 19A 600V 60W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D2PAK Standard 1.6V @ 15V, 10A 480V, 10A, 50Ohm, 15V 38A 37ns 320µJ (on), 2.58mJ (off) 27nC 62ns/690ns
IRG4BC40FPBF FAST SPEED IGBT International Rectifier TO-220-3 49A 600V 160W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB Standard 1.7V @ 15V, 27A 480V, 27A, 10Ohm, 15V 200A 370µJ (on), 1.81mJ (off) 150nC 26ns/240ns
IXGH40N60A IGBT 600V 75A 250W TO247AD IXYS TO-247-3 75A 600V 250W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard 3V @ 15V, 40A 480V, 40A, 22Ohm, 15V 150A 3mJ (off) 200nC 100ns/600ns
MIXA10W1200TML IGBT MODULE 1200V 17A 65W E1 IXYS E1 17A 1200V 65W Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 125°C (TJ) E1 PT 150µA 2.1V @ 15V, 9A Standard Yes
IXGH40N120C3 IGBT 1200V 75A 380W TO247 IXYS TO-247-3 75A 1200V 380W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard PT 4.4V @ 15V, 30A 600V, 30A, 3Ohm, 15V 200A 1.8mJ (on), 550µJ (off) 142nC 17ns/130ns GenX3™
APTGL120TDU120TPG IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P Microsemi Corporation Module 140A 1200V 517W Chassis Mount Triple, Dual - Common Source -40°C ~ 175°C (TJ) SP6-P Trench Field Stop 250µA 2.15V @ 15V, 100A 6.2nF @ 25V Standard Yes
CM200DY-24NF IGBT MOD 1200V 200A 1130W Powerex Inc. Module 200A 1200V 1130W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) Module 1mA 2.5V @ 15V, 200A 47nF @ 10V Standard No IGBTMOD™
IRGS4607DPBF IGBT WITH RECOVERY DIODE Rochester Electronics, LLC TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 11A 600V 58W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) D2PAK Standard 2.05V @ 15V, 4A 400V, 4A, 100Ohm, 15V 12A 48ns 140µJ (on), 62µJ (off) 9nC 27ns/120ns
FF300R06KE3_B2 IGBT MODULE Rochester Electronics, LLC
FGB30N6S2 N-CHANNEL IGBT Rochester Electronics, LLC TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 45A 600V 167W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) TO-263AB Standard 2.5V @ 15V, 12A 390V, 12A, 10Ohm, 15V 108A 55µJ (on), 100µJ (off) 23nC 6ns/40ns
RGW80TS65DHRC11 HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Rohm Semiconductor TO-247-3 80A 650V 214W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247N Standard Trench Field Stop 1.9V @ 15V, 40A 400V, 20A, 10Ohm, 15V 160A 92ns 110nC 42ns/148ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.