• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
FF450R07ME4B11BPSA1 MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Infineon Technologies Module 560A 650V 1450W Chassis Mount 2 Independent -40°C ~ 150°C (TJ) AG-ECONOD Trench Field Stop 1mA 1.95V @ 15V, 450A 27.5nF @ 25V Standard Yes EconoDUAL™ 3
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 IGBT MODULE LOW POWER EASY Infineon Technologies Module 70A 950V 20mW Chassis Mount Three Level Inverter -40°C ~ 150°C (TJ) AG-EASY3B Trench Field Stop 31 µA 1.55V @ 15V, 25A 6.48 nF @ 25 V Standard Yes EasyPACK™
FP15R06YE3B4BOMA1 MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 Infineon Technologies
FF300R12ME3BOSA1 IGBT MOD 1200V 500A 1450W Infineon Technologies Module 500A 1200V 1450W Chassis Mount Half Bridge Inverter -40°C ~ 125°C Module Trench Field Stop 5mA 2.15V @ 15V, 300A 20nF @ 25V Standard Yes EconoDUAL™
FZ500R65KE3NOSA1 IGBT MODULE 6500V 500A Infineon Technologies Module 500A 6500V 2000000W Chassis Mount Half Bridge -50°C ~ 125°C Module 5mA 3.4V @ 15V, 500A 135nF @ 25V Standard No
FS300R17OE4B81BPSA1 MEDIUM POWER ECONO Infineon Technologies Module 300A 1700V 20mW Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 150°C (TJ) AG-ECONOPP Trench Field Stop 3mA 2.3V @ 15V, 300A 24.3 nF @ 25 V Standard Yes EconoPACK™+
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE Infineon Technologies
FP75R12N2T7B11BPSA1 LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-711 Infineon Technologies Module 75A 1200V 20mW Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 175°C (TJ) AG-ECONO2B Trench Field Stop 14 µA 1.55V @ 15V, 75A 15.1nF @ 25V Three Phase Bridge Rectifier Yes EconoPIM™ 2
FZ1800R17HP4_B29 FZ1800R17 - IGBT MODULE Infineon Technologies
IRG7PH44K10DPBF IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D International Rectifier TO-247-3 70A 1200V 320W Through Hole -40°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard 2.4V @ 15V, 25A 600V, 25A, 10Ohm, 15V 100A 130ns 2.1mJ (on), 1.3mJ (off) 200nC 75ns/315ns
IXYH16N250C IGBT 2500V 35A TO247AD IXYS TO-247-3 35A 2500V 500W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247AD Standard 4V @ 15V, 16A 1250V, 16A, 10Ohm, 15V 126A 19ns 4.75mJ (on), 3.9mJ (off) 97nC 14ns/260ns XPT™
IXGQ180N33TCD1 IGBT 330V 180A TO3P IXYS TO-3P-3, SC-65-3 180A 330V Through Hole TO-3P Standard
APTGT75H60T2G IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2 Microsemi Corporation SP2 100A 600V 250W Chassis Mount Full Bridge Inverter -40°C ~ 175°C (TJ) SP2 Trench Field Stop 250µA 1.9V @ 15V, 75A 4.62nF @ 25V Standard Yes
APTGT150A1202G IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP2 Microsemi Corporation SP2 220A 1200V 690W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) SP2 Trench Field Stop 50µA 2.1V @ 15V, 150A 10.7nF @ 25V Standard No
AFGHL50T65SQ AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE onsemi TO-247-3 80A 650V 268W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V 200A 950µJ (on), 460µJ (off) 99nC 20ns/81ns Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.