• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • RJH60D1DPP-M0#T2
    IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FL
    • Время обратного восстановления (trr): 70ns
    • Мощность - Макс.: 30W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off)
    • Gate Charge: 13nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGP4266DPBF
    IGBT 650V 140A 455W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 170ns
    • Мощность - Макс.: 455W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 140A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
    • Gate Charge: 210nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGP8NC60KD
    IGBT 600V 15A 65W TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 23.5ns
    • Мощность - Макс.: 65W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
    • Gate Charge: 19nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA25N120ANTU
    IGBT 1200V 40A 310W TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 310W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 40A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 75A
    • Switching Energy: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT200A60T3AG
    IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 750W
    • Ток коллектора (макс): 290A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RJP30Y2ADPP-MB#T2F
    IGBT
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF600R12IE4PNOSA1
    IGBT MOD 1200V 600A 3350W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: PrimePack™2
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 3350W
    • Ток коллектора (макс): 600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH32N90B2D1
    IGBT 900V 64A 300W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFAST™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 190ns
    • Мощность - Макс.: 300W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 64A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
    • Test Condition: 720V, 32A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 2.2mJ (off)
    • Gate Charge: 89nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/260ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB30B60KPBF
    IGBT, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Мощность - Макс.: 370W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 78A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
    • Gate Charge: 102nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FMG1G400US60H
    IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1136W
    • Ток коллектора (макс): 400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 400A
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS75R12W2T4PB11BPSA1
    LOW POWER EASY
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIGC07T60NCX1SA1
    IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 6A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 6A, 54Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGC20B60KB
    IGBT CHIP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 4A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CM600DY-24S
    IGBT MOD 1200V 600A 4050W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 4050W
    • Ток коллектора (макс): 600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 600A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIHD06N60RATMA1
    IC DISCRETE 600V TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3-313
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.