• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
FZ2400R17HP4B2BOSA2 IGBT MODULE 1700V 4800A Infineon Technologies Module 4800A 1700V 13000W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C Module Trench Field Stop 5mA 2.25V @ 15V, 2400A 195nF @ 25V Standard No IHM-B
AIHD04N60RFATMA1 IC DISCRETE 600V TO252-3 Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8A 600V 75W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO252-3-313 Standard Trench Field Stop 2.5V @ 15V, 4A 400V, 4A, 43Ohm, 15V 12A 60µJ (on), 50µJ (off) 27nC 12ns/116ns
IRGB4045DPBF IGBT 600V 12A 77W TO220AB Infineon Technologies TO-220-3 12A 600V 77W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-220AB Standard Trench 2V @ 15V, 6A 400V, 6A, 47Ohm, 15V 18A 74ns 56µJ (on), 122µJ (off) 13nC 27ns/75ns
IKW40N65F5AXKSA1 IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Infineon Technologies TO-247-3 74A 650V 250W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO247-3 Standard Trench 2.1V @ 15V, 40A 400V, 20A, 15Ohm, 15V 120A 73ns 350µJ (on), 100µJ (off) 95nC 19ns/165ns Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IRG4BC30KDSTRRP IGBT 600V 28A 100W D2PAK Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 28A 600V 100W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D2PAK Standard 2.7V @ 15V, 16A 480V, 16A, 23Ohm, 15V 56A 42ns 600µJ (on), 580µJ (off) 67nC 60ns/160ns
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies Module 400A 1200V 2400W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) Module Trench Field Stop 5mA 2.1V @ 15V, 400A 28nF @ 25V Standard Yes
IRG4BC10SDPBF IGBT 600V 14A 38W TO220AB Infineon Technologies TO-220-3 14A 600V 38W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB Standard 1.8V @ 15V, 8A 480V, 8A, 100Ohm, 15V 18A 28ns 310µJ (on), 3.28mJ (off) 15nC 76ns/815ns
FS75R12W2T4PBPSA1 LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 Infineon Technologies Module 107A 1200V 375W Chassis Mount Full Bridge Inverter -40°C ~ 150°C (TJ) AG-EASY2B Trench Field Stop 1mA 2.15V @ 15V, 75A 4.3nF @ 25V Standard Yes EasyPACK™
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC 320A 600V 735W Chassis Mount Single -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-227B PT 150µA 1.25V @ 15V, 100A 18nF @ 25V Standard No GenX3™
PCFG40T65SQF DIODE SCHOTTKY onsemi Die 650V Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) Wafer Standard Field Stop 2.1V @ 15V, 40A 160A 80nC
MGP15N40CL IGBT 440V 15A 150W TO220AB onsemi TO-220-3 15A 440V 150W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-220 Logic 2.9V @ 4V, 25A 300V, 6.5A, 1kOhm 50A -/4µs
RJH60V1BDPE-00#J3 IGBT 600V 16A 52W LDPAK Renesas Electronics America SC-83 16A 600V 52W Surface Mount 150°C (TJ) 4-LDPAK Standard Trench 2.2V @ 15V, 8A 300V, 8A, 5Ohm, 15V 25ns 17µJ (on), 110µJ (off) 19nC 30ns/55ns
RJH60D5DPM-00#T1 IGBT 600V 75A 45W TO3PFM Renesas Electronics America Inc TO-220-3 Full Pack 75A 600V 45W Through Hole 150°C (TJ) TO-3PFM Standard Trench 2.2V @ 15V, 37A 300V, 37A, 5Ohm, 15V 100ns 650µJ (on), 270µJ (off) 78nC 50ns/135ns
STGB3NB60SDT4 IGBT 600V 6A 70W D2PAK STMicroelectronics TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6A 600V 70W Surface Mount 175°C (TJ) D2PAK Standard 1.5V @ 15V, 3A 480V, 3A, 1kOhm, 15V 25A 1.7µs 1.15mJ (off) 18nC 125ns/3.4µs PowerMESH™
A1P50S65M2-F IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1 STMicroelectronics Module 50A 650V 208W Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 150°C (TJ) ACEPACK™ 1 Trench Field Stop 100µA 2.3V @ 15V, 50A 4.15nF @ 25V Standard Yes
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.