• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • APT85GR120L
    IGBT 1200V 170A 962W TO264
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264
    • Мощность - Макс.: 962W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 170A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 340A
    • Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
    • Gate Charge: 660nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BC30K-S
    IGBT 600V 28A 100W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 28A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 58A
    • Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
    • Gate Charge: 67nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXYQ40N65B3D1
    DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 300W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 86A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 195A
    • Switching Energy: 800µJ (on), 700µJ (off)
    • Gate Charge: 68nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT300A170G
    IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1660W
    • Ток коллектора (макс): 400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 750µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGL475U120DAG
    IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 2307W
    • Ток коллектора (макс): 610A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MKI100-12E8
    IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E3
    • Тип корпуса: E3
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 640W
    • Ток коллектора (макс): 165A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1.4mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT300TL65G
    IGBT MODULE 650V SP6C
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH28N60A3
    IGBT
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 26ns
    • Мощность - Макс.: 190W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 170A
    • Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
    • Gate Charge: 66nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT150GN120JDQ4
    IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 625W
    • Ток коллектора (макс): 215A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRGP4062D
    IGBT 600V 48A TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 89ns
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 48A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 72A
    • Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
    • Gate Charge: 50nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT300DA120G
    IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1380W
    • Ток коллектора (макс): 420A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CM400DU-12H
    IGBT MOD 600V 400A 1130W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1130W
    • Ток коллектора (макс): 400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.2nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4PC40UPBF
    IGBT 600V 40A 160W TO247AC
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Мощность - Макс.: 160W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 40A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off)
    • Gate Charge: 100nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIO1200-33E11
    IGBT MODULE 3300V 1200A E11
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E11
    • Тип корпуса: E11
    • Конфигурация: Single Switch
    • Ток коллектора (макс): 1200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3300V
    • Обратный ток коллектора: 120mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH40N60A3D1
    IGBT 600V TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Входной каскад: Standard
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.