Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 104W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 26
  • HGT1S12N60B3S
    27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK (TO-263)
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 27A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 110A
    • Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
    • Gate Charge: 68nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTP2N120CN
    IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 13A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FMM7G30US60N
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MUBW35-06A6
    IGBT MODULE 600V 38A 104W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Ток коллектора (макс): 38A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTG12N60C3DR
    UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 48A
    • Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
    • Gate Charge: 71nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTG12N60C3D
    24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 42ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 96A
    • Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTG12N60C3D
    UFS SERIES N-CH IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Время обратного восстановления (trr): 42ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 96A
    • Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTG12N60C3D
    IGBT 600V 24A 104W TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 42ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 96A
    • Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGT1S12N60C3R
    24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: I2PAK (TO-262)
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 48A
    • Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
    • Gate Charge: 71nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FMM7G30US60I
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGT1S2N120CN
    N-CHANNEL IGBT
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 13A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTP12N60C3R
    24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 48A
    • Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
    • Gate Charge: 71nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MUBW30-12A6
    IGBT MODULE 1200V 31A 104W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Ток коллектора (макс): 31A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTP12N60C3
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 24A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 96A
    • Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGT1S12N60B3D
    27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: I2PAK (TO-262)
    • Мощность - Макс.: 104W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 27A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 110A
    • Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
    • Gate Charge: 78nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100