• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 71
  • IGBT 1700V 12A 75W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 20nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 68W TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3-2
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 68W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 190µJ
    • Gate Charge: 33nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 11ns/196ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: M
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
    • Gate Charge: 21.2nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220AB Full-Pak
    • Мощность - Макс.: 34W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 52A
    • Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off)
    • Gate Charge: 26nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Мощность - Макс.: 66W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Gate Charge: 30nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3
    • Время обратного восстановления (trr): 68ns
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
    • Gate Charge: 48nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 88W TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3-11
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 14.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 150µJ
    • Gate Charge: 42nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25ns/125ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: M
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
    • Gate Charge: 21.2nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: