• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 86
  • IGBT 650V 120A 455W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX4™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 120ns
    • Мощность - Макс.: 455W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
    • Gate Charge: 77nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3PN
    • Время обратного восстановления (trr): 110ns
    • Мощность - Макс.: 306W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
    • Gate Charge: 84nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOP
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 521W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 750µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.32nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 120A, 300V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 21ns
    • Мощность - Макс.: 290W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Gate Charge: 120nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Мощность - Макс.: 378W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
    • Gate Charge: 188nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 85ns
    • Мощность - Макс.: 469W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 414nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT BIPO 650V 80A TO247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4
    • Мощность - Макс.: 469W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 414nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Мощность - Макс.: 395W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
    • Gate Charge: 160nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3PN
    • Время обратного восстановления (trr): 110ns
    • Мощность - Макс.: 306W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
    • Gate Charge: 84nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 120A I(C), 1200V V(BR)CES,
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: SUPER-247™ (TO-274AA)
    • Время обратного восстановления (trr): 170ns
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
    • Gate Charge: 435nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 110ns/490ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: