• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 86
  • APT100GF60JU2
    IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGF90H60T3G
    IGBT MODULE 600V 120A 416W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA120N30DTU
    IGBT, 120A, 300V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 21ns
    • Мощность - Макс.: 290W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Gate Charge: 120nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGW80V60F
    IGBT 600V 120A 469W TO247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 469W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
    • Gate Charge: 448nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA60N65SMD
    IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 47ns
    • Мощность - Макс.: 600W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
    • Gate Charge: 189nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGPF120N30TU
    N-CHANNEL IGBT
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Gate Charge: 112nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT75A170D1G
    IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA120N30DTU
    IGBT 300V 120A 290W TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Время обратного восстановления (trr): 21ns
    • Мощность - Макс.: 290W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Gate Charge: 120nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT100GF60JU3
    IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGH60T65SHD-F155
    IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 34.6ns
    • Мощность - Макс.: 349W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
    • Gate Charge: 102nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGQ120N30TCD1
    IGBT 300V 120A TO3P
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • IGBT Type: Trench
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GPA060A060MN-FD
    IGBT 600V 120A 347W TO3PN
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3PN
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Мощность - Макс.: 347W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
    • Gate Charge: 225nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 45ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GHIS060A120S-A2
    IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 680W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT75SK170D1G
    IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFGY100T65SPD
    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 105ns
    • Мощность - Макс.: 660W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
    • Gate Charge: 109nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100