• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 47
  • STGF14NC60KD
    IGBT 600V 11A 28W TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 28W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 50A
    • Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
    • Gate Charge: 34.4nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGR4607DPBF
    IGBT WITH RECOVERY DIODE
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGS4607DTRLPBF
    IGBT 600V 11A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4PH20K
    IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGI4045DPBF
    IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220AB Full-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 73ns
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 64µJ (on), 123µJ (off)
    • Gate Charge: 13nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/73ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS6R06VE3B2BOMA1
    IGBT MOD 600V 11A 40.5W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 40.5W
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 330pF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGR4607DTRPBF
    IGBT 600V 11A 58W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4PH20KD
    IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 51ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-CPV363M4KPBF
    IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
    • Тип корпуса: IMS-2
    • Мощность - Макс.: 36W
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 740 pF @ 30 V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB4607DPBF
    IGBT 600V 11A 58W TO220
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BH20K-STRLP
    IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB4B60KD1PBF
    IRGB4B60K - IGBT WITH ULTRAFAST
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGR4607DPBF
    IGBT WITH RECOVERY DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGSL4B60KD1PBF
    IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGSL4B60KD1PBF
    IGBT NPT 600V 11A TO262
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100