Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 100A | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 318

FGA50T65SHD

IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Время обратного восстановления (trr): 34.6ns
- Мощность - Макс.: 319W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
- Gate Charge: 87nC
- Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AFGHL50T65SQDC

IGBT 650V A

onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 238W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
- IGBT Type: Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
- Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
- Gate Charge: 94nC
- Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APTGT75TA60PG

IGBT MODULE 600V 100A 250W SP6P

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Конфигурация: Three Phase
- Мощность - Макс.: 250W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APT30GP60B2DLG

IGBT 600V 100A 463W TMAX

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: T-MAX™
- Мощность - Макс.: 463W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
- Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
- Gate Charge: 90nC
- Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FMG1G100US60H

IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 7PM-GA
- Тип корпуса: 7PM-GA
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 400W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.84nF @ 30V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXA70I1200NA

IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 350W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Input: Standard
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGW50N60TFKSA1

IGBT 600V 100A 333W TO247-3

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: TrenchStop™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3-1
- Мощность - Макс.: 333W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 2.6mJ
- Gate Charge: 310nC
- Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SIGC81T60NCX1SA5

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Td (on/off) @ 25°C: 95ns/200ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG5K50FF06E

IGBT MOD 600V 100A POWIR ECO 2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: POWIR ECO 2™ Module
- Тип корпуса: POWIR ECO 2™
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 245W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXEN60N120

IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 445W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 800µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APTGF75DH120TG

IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 500W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CM100RX-24A

IGBT MOD 1200V 100A 625W

Powerex Inc.
- Производитель: Powerex Inc.
- Серия: IGBTMOD™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
- Мощность - Макс.: 625W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17.5nF @ 10V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NGTB50N60FLWG

IGBT 600V 50A TO247

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Время обратного восстановления (trr): 85ns
- Мощность - Макс.: 223W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
- Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
- Gate Charge: 310nC
- Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
VS-ETF075Y60U

IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: EMIPAK-2B
- Тип корпуса: EMIPAK-2B
- Конфигурация: Three Level Inverter
- Мощность - Макс.: 294W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.44nF @ 30V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
GB100XCP12-227

IGBT MODULE 1200V 100A SOT227

GeneSiC Semiconductor
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: