• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 780W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20nF @ 10V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247A
• Время обратного восстановления (trr): 250ns
• Мощность - Макс.: 250W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
• Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
• Gate Charge: 80nC
• Td (on/off) @ 25°C: 38ns/125ns

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Конфигурация: Three Level Inverter - IGBT, FET
• Мощность - Макс.: 250W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
• Мощность - Макс.: 1041W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 543W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
• Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
• Gate Charge: 135nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Мощность - Макс.: 1042W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
• Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
• Gate Charge: 320nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns

• Производитель: IXYS
• Серия: GenX3™, XPT™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 (IXXH)
• Время обратного восстановления (trr): 25ns
• Мощность - Макс.: 600W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
• Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
• Gate Charge: 64nC
• Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 543W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
• Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
• Switching Energy: 825µJ (off)
• Gate Charge: 145nC
• Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 12-MTP Module
• Тип корпуса: MTP
• Конфигурация: Half Bridge
• Мощность - Макс.: 347W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 700µA
• Input: Standard
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 140A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Конфигурация: Half Bridge
• Мощность - Макс.: 350W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Время обратного восстановления (trr): 340ns
• Мощность - Макс.: 535W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
• Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
• Gate Charge: 210nC
• Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 335W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: TrenchStop™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 100A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 515W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 500W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39nF @ 10V
• NTC Thermistor: No