Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 100A | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 318

FP100R07N3E4BOSA1

IGBT MOD 650V 100A 335W

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: EconoPIM™3
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 335W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG5U75HF06A

IGBT MOD 600V 100A 330W POWIR 34

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: POWIR® 34 Module
- Тип корпуса: POWIR® 34
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 330W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FS100R17N3E4B11BOSA1

IGBT MOD 1700V 100A 600W

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: EconoPACK™ 3
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 600W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APTGF75H120TG

IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Full Bridge Inverter
- Мощность - Макс.: 500W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APTGT75DDA60T3G

IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Dual Boost Chopper
- Мощность - Макс.: 250W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APT75GT120JU3

IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOTOP
- Тип корпуса: SOT-227
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 5mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APT40GP60B2DQ2G

IGBT 600V 100A 543W TMAX

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 543W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
- Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off)
- Gate Charge: 135nC
- Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRGP4063D1-EPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AD
- Время обратного восстановления (trr): 80ns
- Мощность - Макс.: 330W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 48A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.14V @ 15V, 48A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 192A
- Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
- Gate Charge: 150nC
- Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CM100DY-24A

IGBT MOD 1200V 100A 672W

Powerex Inc.
- Производитель: Powerex Inc.
- Серия: IGBTMOD™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 672W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17.5nF @ 10V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APT80GP60B2G

IGBT 600V 100A 1041W TMAX

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
- Мощность - Макс.: 1041W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FP100R12N2T7BPSA1

LOW POWER ECONO AG-ECONO2-4

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: EconoPIM™ 2
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-ECONO2B
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 20mW
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Input: Three Phase Bridge Rectifier
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IGW60T120FKSA1

IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: TrenchStop™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PG-TO247-3-1
- Мощность - Макс.: 375W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 9.5mJ
- Gate Charge: 280nC
- Td (on/off) @ 25°C: 50ns/480ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
APT30GP60BDQ1G

IGBT 600V 100A 463W TO247

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Мощность - Макс.: 463W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
- Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
- Gate Charge: 90nC
- Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FGA5065ADF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Время обратного восстановления (trr): 31.8ns
- Мощность - Макс.: 268W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
- Gate Charge: 72.2nC
- Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
F475R12KS4BPSA1

LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-ECONO2B
- Конфигурация: Full Bridge Inverter
- Мощность - Макс.: 500W
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 5mA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: