• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Мощность - Макс.: 1042W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
• Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
• Gate Charge: 320nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: D3 [S]
• Мощность - Макс.: 543W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
• Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
• Gate Charge: 135nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Half Bridge
• Мощность - Макс.: 600W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15nF @ 10V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
• Td (on/off) @ 25°C: 65ns/450ns

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: E3
• Тип корпуса: E3
• Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
• Мощность - Макс.: 320W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 1.4mA
• Input: Three Phase Bridge Rectifier
• IGBT Type: NPT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.2nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3PN
• Время обратного восстановления (trr): 31.8ns
• Мощность - Макс.: 268W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
• Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
• Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
• Gate Charge: 72.2nC
• Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Конфигурация: Single
• Мощность - Макс.: 250W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: ECONO2 4PACK
• Мощность - Макс.: 480W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 250µA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 390W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Three Phase Bridge Rectifier
• IGBT Type: Trench
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39nF @ 10V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: EconoPACK™2
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 515W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Powerex Inc.
• Серия: IGBTMOD™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 620W
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17.5nF @ 10V
• NTC Thermistor: No

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 625W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 170A
• Switching Energy: 900µJ (on), 904µJ (off)
• Gate Charge: 185nC
• Td (on/off) @ 25°C: 18ns/102ns

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: MIPAQ™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 65°C
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Input: Standard
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
• NTC Thermistor: Yes

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Мощность - Макс.: 625W
• Входной каскад: Standard
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
• IGBT Type: PT
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 190A
• Switching Energy: 465µJ (on), 637µJ (off)
• Gate Charge: 165nC
• Td (on/off) @ 25°C: 19ns/83ns

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: EconoPIM™ 2
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: AG-ECONO2B
• Конфигурация: Three Phase Inverter
• Мощность - Макс.: 20mW
• Ток коллектора (макс): 100A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Обратный ток коллектора: 10µA
• Input: Three Phase Bridge Rectifier
• IGBT Type: Trench Field Stop
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
• Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
• NTC Thermistor: Yes