• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
  • IRF3415S
    MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF21030LR5
    FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-400
    • Тип корпуса: NI-400
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 250mA
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STD35NF06T4
    MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ II
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 80W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SPI07N65C3IN
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP60R099C6XKSA1
    MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS84PL6433HTMA1
    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 20µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS30067PPBF
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIRA62DP-T1-RE3
    MOSFET N-CHAN 30V
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET® Gen IV
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PowerPAK® SO-8
    • Тип корпуса: PowerPAK® SO-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4460pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +16V, -12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD18N06L-1G
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF7G27LS-150P,112
    RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-539B
    • Тип корпуса: SOT539B
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 37A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUK9Y3R5-40E,115
    MOSFET N-CH 40V LFPAK
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SC-100, SOT-669
    • Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30.2nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5137pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 167W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB80N08S406ATMA1
    MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3-2
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SUD50P10-43L-E3
    MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FQD4N25TF
    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: QFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N6804
    MOSFET P-CH 100V 11A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/562
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.