• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
  • BUK7E1R6-30E,127
    BUK7E1R6-30E - POWER, I2PAK
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: TrenchMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: I2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11.96pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 349W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NVMFS5C460NLT3G
    MOSFET N-CH 40V SO8FL
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SSM6J503NU,LF
    MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: U-MOSVI
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-UDFNB (2x2)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD4858NA-1G
    MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1563pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STL180N6F7
    N-CHANNEL 60 V, 1.9 MOHM TYP., 1
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™ F7
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerFlat™ (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4825pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.8W (Ta), 166W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • XP162A11C0PR-G
    MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89
    Torex Semiconductor Ltd
    • Производитель: Torex Semiconductor Ltd
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUK953R2-40E,127
    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Серия: TrenchMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 234W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TK22E10N1,S1X
    MOSFET N CH 100V 52A TO220
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: U-MOSVIII-H
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 300µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 72W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD24N06L-1G
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1.14pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC261212FC-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 280mA
    • Выходная мощность: 28W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HAT2173HWS-E
    MOSFET N-CH LFPAK-5
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C
    • Package / Case: SC-100, SOT-669
    • Тип корпуса: 5-LFPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6V @ 20mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 30W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS4070N3
    MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2819pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP3N100P
    MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarVHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI4128DY-T1-GE3
    MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP50R299CPHKSA1
    MOSFET N-CH 550V TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 550V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.