• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
AOD2606 MOSFET N-CH 60V 46A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO-252, (D-Pak) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.5W (Ta), 150W (Tc) 60V 14A (Ta), 46A (Tc) 6.8mOhm @ 20A, 10V 10V 3.5V @ 250µA 75nC @ 10V 4050pF @ 30V ±20V
CE3512K2 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX CEL 4-Micro-X 125mW 12GHz 4V 15mA 4-Micro-X pHEMT FET 13.7dB 0.5dB 2V 10mA
PTVA092407NF-V1-R5 IC RF LDMOS FET 4HBSOF Cree/Wolfspeed PG-HBSOF-4-1 240W 869MHz ~ 960MHz 105V 10µA HBSOF-4-1 LDMOS 22.5dB 48V 900mA
BUZ73HXKSA1 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies PG-TO220-3 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 40W (Tc) 200V 7A (Tc) 400mOhm @ 4.5A, 10V 10V 4V @ 1mA 530pF @ 25V ±20V SIPMOS®
IRL3303D1STRL MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK Infineon Technologies D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 68W (Tc) 30V 38A (Tc) 26mOhm @ 20A, 10V 4.5V, 10V 1V @ 250µA 26nC @ 4.5V 870pF @ 25V ±16V HEXFET®
IXTX3N250L MOSFET DISCRETE TO-247P IXYS PLUS247™-3 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 417W (Tc) 2500V 3A (Tc) 10Ohm @ 1.5A, 10V 10V 5V @ 1mA 230nC @ 10V 5400pF @ 25V ±20V
BSS123-TP N-CHANNELMOSFETSOT-23 Micro Commercial Co SOT-23 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 350mW 100V 170mA 6Ohm @ 170mA, 10V 4.5V, 10V 2.8V @ 250µA 2nC @ 10V 60pF @ 25V ±20V
NTE2382 MOSFET-PWR N-CH HI SPEED NTE Electronics, Inc
IRF620B_FP001 MOSFET N-CH 200V 5A TO-220 onsemi TO-220-3 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 47W (Tc) 200V 5A (Tc) 800mOhm @ 2.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 16nC @ 10V 390pF @ 25V ±30V
FCP4N60 MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 onsemi TO-220-3 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 50W (Tc) 600V 3.9A (Tc) 1.2Ohm @ 2A, 10V 10V 5V @ 250µA 16.6nC @ 10V 540pF @ 25V ±30V SuperFET™
FQAF11N90 N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-3PF Through Hole TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 120W (Tc) 900V 7.2A (Tc) 960mOhm @ 3.6A, 10V 10V 5V @ 250µA 94nC @ 10V 3.5pF @ 25V ±30V QFET®
2SJ328-Z-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
RF4C100BCTCR PCH -20V -10A MIDDLE POWER MOSFE Rohm Semiconductor HUML2020L8 Surface Mount 8-PowerUDFN MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) P-Channel 2W (Ta) 20V 10A (Ta) 15.6mOhm @ 10A, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.2V @ 1mA 23.5nC @ 4.5V 1660pF @ 10V ±8V
IRLZ24STRR MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Vishay Siliconix D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.7W (Ta), 60W (Tc) 60V 17A (Tc) 100mOhm @ 10A, 5V 4V, 5V 2V @ 250µA 18nC @ 5V 870pF @ 25V ±10V
SI2303BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 Vishay Siliconix SOT-23-3 (TO-236) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 700mW (Ta) 30V 1.49A (Ta) 200mOhm @ 1.7A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 180pF @ 15V ±20V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.