• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
  • R6020ENZC17
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-3PF
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 120W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF9520NSPBF
    MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFU210
    MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: TO-251AA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N0602N-S19-AY
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7730pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD14N03RT4G
    MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TSM4ND65CI
    650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: ITO-220
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 596pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 41.6W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PMDPB70XPE,115
    MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-HUSON-EP (2x2)
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 515mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDN5618P
    MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SuperSOT-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS8402DW-7-F
    MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V, 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTMFD6H852NLT1G
    MOSFET N-CH 80V 8DFN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 295mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 250mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SPP42N03S2L-13
    MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 21A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 37µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSC015SMA070S
    GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 166A
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE4210S01-T1B
    HJ-FET 13DB S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.5dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI7145DP-T1-GE3
    MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PowerPAK® SO-8
    • Тип корпуса: PowerPAK® SO-8
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 413nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15660pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3287ANTL-E
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.