- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD1105PBL | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP | Advanced Linear Devices Inc. | 14-PDIP | 500mW | Through Hole | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 0°C ~ 70°C (TJ) | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair | 10.6V | Standard | 500Ohm @ 5V | 1V @ 1µA | 3pF @ 5V | |
| ALD1107PBL | MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP | Advanced Linear Devices Inc. | 14-PDIP | 500mW | Through Hole | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 0°C ~ 70°C (TJ) | 4 P-Channel, Matched Pair | 10.6V | Standard | 1800Ohm @ 5V | 1V @ 1µA | 3pF @ 5V | |
| ALD1106PBL | MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP | Advanced Linear Devices Inc. | 14-PDIP | 500mW | Through Hole | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 0°C ~ 70°C (TJ) | 4 N-Channel, Matched Pair | 10.6V | Standard | 500Ohm @ 5V | 1V @ 1µA | 3pF @ 5V | |
| ALD1103PBL | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP | Advanced Linear Devices Inc. | 14-PDIP | 500mW | Through Hole | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 0°C ~ 70°C (TJ) | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair | 10.6V | 40mA, 16mA | Standard | 75Ohm @ 5V | 1V @ 10µA | 10pF @ 5V |
- 10
- 15
- 50
- 100