• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
TC8220K6-G MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN Microchip Technology 12-DFN (4x4) Surface Mount 12-VFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N and 2 P-Channel 200V Standard 6Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA 56pF @ 25V
TC7920K6-G MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN Microchip Technology 12-DFN (4x4) Surface Mount 12-VFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N and 2 P-Channel 200V Standard 10Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA 52pF @ 25V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100