- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIE836DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | Vishay Siliconix | 10-PolarPAK® (SH) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (SH) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 5.2W (Ta), 104W (Tc) | 200V | 18.3A (Tc) | 130mOhm @ 4.1A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 41nC @ 10V | 1200pF @ 100V | ±30V | TrenchFET® |
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | Vishay Siliconix | 10-PolarPAK® (SH) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (SH) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 5.2W (Ta), 104W (Tc) | 200V | 18.3A (Tc) | 130mOhm @ 4.1A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 41nC @ 10V | 1200pF @ 100V | ±30V | TrenchFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100