• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
VMMK-1225-TR1G FET RF 5V 12GHZ 0402 Broadcom Limited 0402 8dBm 12GHz 5V 50mA 0402 (1005 Metric) E-pHEMT 11dB 1dB 2V 20mA
VMMK-1225-TR2G FET RF 5V 12GHZ 0402 Broadcom Limited 0402 12GHz 5V 50mA 0402 (1005 Metric) E-pHEMT 11dB 1dB 2V 20mA
VMMK-1218-TR1G FET RF 5V 10GHZ 0402 Broadcom Limited 0402 12dBm 10GHz 5V 100mA 0402 (1005 Metric) E-pHEMT 9dB 0.81dB 3V 20mA
VMMK-1225-BLKG FET RF 5V 12GHZ 0402 Broadcom Limited 0402 8dBm 12GHz 5V 50mA 0402 (1005 Metric) E-pHEMT 11dB 1dB 2V 20mA
VMMK-1218-BLKG FET RF 5V 10GHZ 0402 Broadcom Limited 0402 12dBm 10GHz 5V 100mA 0402 (1005 Metric) E-pHEMT 9dB 0.81dB 3V 20mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100