- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE3515S02-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | CEL | S02 | 14dBm | 12GHz | 4V | 88mA | 4-SMD, Flat Leads | HFET | 12.5dB | 0.3dB | 2V | 10mA |
| NE3515S02-T1C-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | CEL | S02 | 14dBm | 12GHz | 4V | 88mA | 4-SMD, Flat Leads | HFET | 12.5dB | 0.3dB | 2V | 10mA |
| NE3515S02-T1D-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | CEL | S02 | 14dBm | 12GHz | 4V | 88mA | 4-SMD, Flat Leads | HFET | 12.5dB | 0.3dB | 2V | 10mA |
| NE3515S02-T1D-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Renesas Electronics America Inc | S02 | 14dBm | 12GHz | 4V | 88mA | 4-SMD, Flat Leads | HFET | 12.5dB | 0.3dB | 2V | 10mA |
| NE3515S02-T1C-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Renesas Electronics America Inc | S02 | 14dBm | 12GHz | 4V | 88mA | 4-SMD, Flat Leads | HFET | 12.5dB | 0.3dB | 2V | 10mA |
- 10
- 15
- 50
- 100