• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 48
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
BLF7G27LS-75P,118 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 18A SOT-1121B LDMOS (Dual), Common Source 17dB 28V 650mA
BLF7G27L-75P,118 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 18A SOT-1121A LDMOS (Dual), Common Source 17dB 28V 650mA
BLF7G27LS-75P,112 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 18A SOT-1121B LDMOS (Dual), Common Source 17dB 28V 650mA
BLF25M612G,118 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Ampleon USA Inc. CDFM2 12W 2.45GHz 65V SOT-975C LDMOS 19dB 28V 10mA
BLF25M612,118 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B Ampleon USA Inc. CDFM2 12W 2.45GHz 65V SOT-975B LDMOS 19dB 28V 10mA
BLF6G27LS-40P,118 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V SOT-1121B LDMOS (Dual), Common Source 17.5dB 28V 450mA
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF5S19060NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF5S19060MBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
PTFA210601F V4 IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Infineon Technologies H-37265-2 12W 2.14GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16dB 28V 550mA
PTFA210601EV4XWSA1 IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Infineon Technologies H-36265-2 12W 2.14GHz 65V 10µA H-36265-2 LDMOS 16dB 28V 550mA
MRF7S38075HR3 FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 NXP USA Inc. NI-780H-2L 12W 3.4GHz ~ 3.6GHz 65V SOT-957A LDMOS 14dB 30V 900mA
RFM12U7X(TE12L,Q) MOSFET N-CH PW-X Toshiba Semiconductor and Storage PW-X 12W 520MHz 20V 4A TO-271AA N-Channel 10.8dB 7.2V 750mA
CRF24010FE FET RF 120V 1.95GHZ 440166 Wolfspeed, Inc. 440166 12W 1.95GHz 120V 1.8A 440166 Silicon Carbide MESFET 15dB 3.1dB 48V 500mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100