• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 48
  • MRF6S19060NBR1
    RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF7G27LS-75P,118
    RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 650mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 18A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF5S19060NR1
    RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA210601F V4
    IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37265-2
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 550mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF7S38075HR3
    FET RF 65V 3.6GHZ NI-780
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-780H-2L
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RFM12U7X(TE12L,Q)
    MOSFET N-CH PW-X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Package / Case: TO-271AA
    • Тип корпуса: PW-X
    • Частота: 520MHz
    • Номинальное напряжение: 20V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 10.8dB
    • Voltage - Test: 7.2V
    • Номинальный ток: 4A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF5S19060NBR1
    RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF7G27L-75P,118
    RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 650mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 18A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CRF24010FE
    FET RF 120V 1.95GHZ 440166
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: 440166
    • Тип корпуса: 440166
    • Частота: 1.95GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: Silicon Carbide MESFET
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 48V
    • Коэффициент шума: 3.1dB
    • Номинальный ток: 1.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA210601EV4XWSA1
    IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36265-2
    • Тип корпуса: H-36265-2
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 550mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF5S19060MBR1
    RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF7G27LS-75P,112
    RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 650mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 18A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF6G27LS-40P,118
    RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF25M612,118
    RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-975B
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 2.45GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF25M612G,118
    RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-975C
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 2.45GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100