Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET NXP USA Inc. 12W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 610mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270BA
- Тип корпуса: TO-270-2 GULL
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 610mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing
- Тип корпуса: TO-270WBG-15
- Частота: 1.84GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 24mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 28.9dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 610mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272-4
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 610mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads
- Тип корпуса: TO-270WB-15
- Частота: 1.84GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 24mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 28.9dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-4
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 610mA
- Выходная мощность: 12W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100