• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 24
  • ARF440
    PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Частота: 13.56MHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 11A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ARF441
    PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Частота: 13.56MHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 11A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF7S18125BHSR3
    FET RF 65V 1.93GHZ NI780
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.1A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRFE6VP8600HSR5
    FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 130V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.3dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF7S18125AHSR3
    FET RF 65V 1.88GHZ NI780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.1A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MAGX-001214-125L00
    TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 18.4dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 4.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRFE6VP8600HSR6
    FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 130V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.3dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF7S18125AHSR5
    FET RF 65V 1.88GHZ NI780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.1A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRFE6VP8600HR6
    FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 130V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 125W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.3dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100