- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE3509M04-T2-A | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | CEL | M04 | 11dBm | 2GHz | 4V | 60mA | SOT-343F | HFET | 17.5dB | 0.4dB | 2V | 10mA |
| NE3509M04-A | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | CEL | M04 | 11dBm | 2GHz | 4V | 60mA | SOT-343F | HFET | 17.5dB | 0.4dB | 2V | 10mA |
| NE3510M04-A | FET RF 4V 4GHZ M04 | CEL | M04 | 11dBm | 4GHz | 4V | 97mA | SOT-343F | HFET | 16dB | 0.45dB | 2V | 15mA |
| NE3509M04-T2-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Renesas Electronics America Inc | M04 | 11dBm | 2GHz | 4V | 60mA | SOT-343F | HFET | 17.5dB | 0.4dB | 2V | 10mA |
- 10
- 15
- 50
- 100