Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET NXP USA Inc. 125W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230
- Тип корпуса: NI-1230
- Частота: 225MHz
- Номинальное напряжение: 110V
- Current - Test: 2.6A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 25dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-979A
- Тип корпуса: NI-1230-4H
- Частота: 225MHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 2.6A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 25dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-400S-2S
- Тип корпуса: NI-400S-2S
- Частота: 30MHz ~ 2.2GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 18.4dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AA
- Тип корпуса: OM-270-2
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 16.6dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230
- Тип корпуса: NI-1230
- Частота: 860MHz
- Номинальное напряжение: 130V
- Current - Test: 1.4A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-780H-2L
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-360H-2SB
- Тип корпуса: NI-360H-2SB
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230
- Тип корпуса: NI-1230
- Частота: 225MHz
- Номинальное напряжение: 110V
- Current - Test: 2.6A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 25dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 1.93GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230S
- Тип корпуса: NI-1230S
- Частота: 860MHz
- Номинальное напряжение: 130V
- Current - Test: 1.4A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 1.88GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.1A
- Выходная мощность: 125W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100