Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET NXP USA Inc. 100W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 700mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.5dB
- Voltage - Test: 26V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-360H-2SB
- Тип корпуса: NI-360H-2SB
- Частота: 1MHz ~ 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 50V
- Выходная мощность: 100W
- Усиление: 16.3dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: OM-780-4L
- Тип корпуса: OM-780-4L
- Частота: 920MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 860mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.5dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S-4L
- Тип корпуса: NI-780S-4L
- Частота: 512MHz
- Номинальное напряжение: 133V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 26dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-272BB
- Тип корпуса: TO-272 WB-4
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 700mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.5dB
- Voltage - Test: 26V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: OM-780-4L
- Тип корпуса: OM-780-4L
- Частота: 920MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 860mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.5dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230S
- Тип корпуса: NI-1230S
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 70V
- Current - Test: 2.4A
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.4dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: OM-780G-4L
- Тип корпуса: OM-780G-4L
- Частота: 920MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 860mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.5dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-502B
- Тип корпуса: SOT502B
- Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 650mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.4dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: OM-780G-4L
- Тип корпуса: OM-780G-4L
- Частота: 920MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 860mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.5dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-1230
- Тип корпуса: NI-1230
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 70V
- Current - Test: 2.4A
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 19.4dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-1228A
- Тип корпуса: LDMOST
- Частота: 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 330mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 12.5dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-502B
- Тип корпуса: SOT502B
- Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 700mA
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100