• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 30
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
AFV141KHR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.4GHz 105V SOT-979A LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
MMRF1314HR5 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.4GHz 105V SOT-979A LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
MRF6VP121KHSR6 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S NXP USA Inc. NI-1230S 1000W 1.03GHz 110V NI-1230S LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MRF6VP41KHSR7 FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S NXP USA Inc. NI-1230S 1000W 450MHz 110V NI-1230S LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MMRF1312HSR5 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc. NI-1230-4S 1000W 1.034GHz 112V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 19.6dB 50V 100mA
MRF6VP21KHR5 FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230 1000W 225MHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 24dB 50V 150mA
AFV141KHSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4S 1000W 1.4GHz 105V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
MMRF1006HSR5 FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S NXP USA Inc. NI-1230S-4 1000W 450MHz 120V NI-1230S-4 LDMOS 20dB 50V 150mA
MRF6VP121KHR6 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230 1000W 1.03GHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MRF6VP41KHSR5 FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S NXP USA Inc. NI-1230S 1000W 450MHz 110V NI-1230S LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MRF6VP41KHR5 FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 NXP USA Inc. NI-1230 1000W 450MHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MMRF1006HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 450MHz 120V SOT-979A LDMOS 20dB 50V 150mA
AFV121KHSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4S 1000W 960MHz ~ 1.22GHz 112V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 19.6dB 50V 100mA
MMRF1314HSR5 TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V NXP USA Inc. NI-1230-4S 1000W 1.4GHz 105V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 500mA
AFV141KGSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4S GULL 1000W 1.4GHz 105V NI-1230-4S GW LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100