- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PCF6680AS | DIE TRANS MOSFET N-CH 30V | MICROSS/On Semiconductor | ||||||||||||||||
| PCFQ8P10W | DIE MOSFET P-CH 100V | MICROSS/On Semiconductor | Die | Surface Mount | Die | |||||||||||||
| BSS138 | MOSFET N-CH 50V 220MA DIE | MICROSS/On Semiconductor | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 360mW (Ta) | 50V | 220mA (Ta) | 3.5Ohm @ 220mA, 10V | 10V | 1.5V @ 1mA | 2.4nC @ 10V | 27pF @ 25V | ±20V | |
| PCFQ5P10W | DIE MOSFET P-CH 100V | MICROSS/On Semiconductor | Die | Surface Mount | Die | |||||||||||||
| PCFD045N10AW | DIE MOSFET N-CH 100V | MICROSS/On Semiconductor | ||||||||||||||||
| FQ7N10 | DIE MOSFET N-CH 100V | MICROSS/On Semiconductor | ||||||||||||||||
| BSS84 | MOSFET P-CH 50V 130MA DIE | MICROSS/On Semiconductor | SOT-23-3 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 360mW (Ta) | 50V | 130mA (Ta) | 10Ohm @ 100mA, 5V | 5V | 2V @ 1mA | 1.3nC @ 5V | 73pF @ 25V | ±20V | |
| PCFD18N20W | DIE MOSFET N-CH 200V UNIFET | MICROSS/On Semiconductor | ||||||||||||||||
| FDN340P | DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L | MICROSS/On Semiconductor | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 500mW (Ta) | 20V | 2A (Ta) | 70mOhm @ 2A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 779pF @ 10V | ±8V | PowerTrench® |
| PCFQ17P10W | DIE MOSFET P-CH 100V | MICROSS/On Semiconductor |
- 10
- 15
- 50
- 100