Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET MICROSS/On Semiconductor

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
  • PCF6680AS
    DIE TRANS MOSFET N-CH 30V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCFQ8P10W
    DIE MOSFET P-CH 100V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS138
    MOSFET N-CH 50V 220MA DIE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCFQ5P10W
    DIE MOSFET P-CH 100V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCFD045N10AW
    DIE MOSFET N-CH 100V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FQ7N10
    DIE MOSFET N-CH 100V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS84
    MOSFET P-CH 50V 130MA DIE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 73pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCFD18N20W
    DIE MOSFET N-CH 200V UNIFET
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDN340P
    DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 779pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCFQ17P10W
    DIE MOSFET P-CH 100V
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100