-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 78A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 744nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20700pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100