Найдено: 2
  • MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: