• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • MCP87050T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87130T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87090T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87018T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2925pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87022T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2310pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87030T-U/MF
    MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100