• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-70-6
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 270mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -6V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 45A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 568W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: TO-243AA (SOT-89)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5448pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 208W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 143A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 71.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1036nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 833W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1392nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18100pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 2031W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP®)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1.2kV
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Частота: 81.36MHz
• Номинальное напряжение: 450V
• Выходная мощность: 90W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 13dB
• Voltage - Test: 150V
• Номинальный ток: 9A

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 125W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3812pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 208W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
• Мощность - Макс.: 674W (Tc)