Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co D2PAK

Найдено: 3
  • N-CHANNEL MOSFET, D2PAK PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2498pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 85W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL,MOSFETS,D2PAK PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 187W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL,MOSFETS,D2PAK PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 101.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6124.6pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 192W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: